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苯乙烯的生产技术步入“节能二代”
2014-03-14 11:03:37
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近日,从中石化巴陵石化公司得到传闻,由该公司和上海石化研究院、上海工程有限公司及华东理工大学实施的12万吨/年节能型苯乙烯成套技术开发项目,已于12月10日通过中石化组织的相关技术鉴定。该项目应用的第二代节能型苯乙烯技术具有创新性和自主知识产权,已申请17项发明专利,其中11项已获授权。
装置标定及工业运行结果表明,苯乙烯纯度99.94%,乙苯单耗1.058吨/吨苯乙烯;与常规工艺流程相比,每小时节省蒸汽16.6吨、节省循环水845吨,中压蒸汽和低压蒸汽消耗量均有大幅下降,综合能耗降低70多千克标油,节能23%以上,经济、社会效益显著。
据悉,在上海石化研究院牵头开发的苯乙烯成套技术成功工业化的基础上,该院以国际先进水平为标杆,从降低苯乙烯装置综合能耗入手持续攻关创新,于2010年成功开发了第二代节能型苯乙烯技术。
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化工资讯网电子信息频道:来自日本东京大学的科学研究小组最近开发出一种重量比羽毛还轻,而且只有食品保鲜膜1/5的厚度的柔性电路,在医学上为未来将传感器植入人体内提供了一些可能。
研究人员说,这种在超薄薄膜上的设备是独一无二的,因为即使将其揉成团或拉伸,仍然可以工作。这种电路可以用于监控各种身体数据,比如体温、血压以及肌肉或心脏电子脉冲等。
医疗传感器通常使用硅和其他相对刚性的材料,可能会导致使用者产生不适感。但新的柔性电路应该可以减少甚至消除这种应力。对于使用者来说,这个薄片可放置在口腔顶部,只要移动舌头,就能操作通信设备。其可以连接到各种表面,不会限制佩戴者的运动。
用于厨房的食品保鲜膜通常有10微米厚,而这种电路仅有2微米厚,每平方米的重量只有3克。该产品如此之薄和轻,以至于其在空气中下降的状态是缓慢而轻飘地翻滚和摇摆,下落的速度远不及鸟的羽毛。这是研究团队成功地创建了一个高品质、超薄绝缘层之后,使这一创举成为可能。
即使在人体内这种“微咸”的环境下,该设备也可以工作超过两个多星期,未来将大有可能将其内置于人体收集数据。当然这需要之后更多的研究才可能实现。例如,虽然薄膜几乎是觉察不到的,但它对与其相接触皮肤的影响是不完全为人所知的,有可能会引发皮疹。另外,所使用的可靠电力来源能否足够小,并且是否可以运行该设备也将是一个挑战。
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化工资讯网节能环保频道:一个由德国和瑞士的科学人员组成的研究团队近日揭示,地震可使海底沉积物被撕裂从而引起储藏的甲烷泄露,因此造成的了温室气体的排放。这项发现应该被人类重视起来。
节能环保常识里面,温室气体分自然和人为两种来源。能够确定的自然来源包括火山爆发喷出吸热的二氧化碳、冷却的二氧化硫颗粒,以及从陆地和解冻的冻土层中的甲烷。由人为造成最大的来源是二氧化碳,如燃烧煤炭、天然气和石油,以及采伐森林和农业造成的甲烷排放。甲烷对全球变暖的影响已日益受到关注,虽然它在大气中存留的时间相对较短,但它在捕获太阳热量方面比二氧化碳更强烈,超过25倍。
研究人员说,相关证据来自2007年由海洋科学家对阿拉伯海床北部沉积岩芯的钻探研究。在其中的一个核芯中,研究人员发现含有甲烷水合物,即在海床底下只有1.6米之处像冰状晶体结构的甲烷和水的固体。还在沉积物颗粒之间的水中发现了泄露的信号,以及一种被称为重晶石矿物的浓聚物。总之,近几十年来也有关于海底甲烷攀升的发现。
研究人员指出,在阿拉伯海北部发生了当地有史以来最大规模的8.1级地震,导致在新生岭的位置一个浅层气藏破裂。据估算,有可能在数十年期间,约740万立方米的甲烷(相当于大致10个大型天然气罐车的容量)喷出表面。研究人员强调,这个估计是保守的,可能在该地区的其他站点也受到地震的破坏。从东西伯利亚也就是影响气温升高的地球热点之一的部分北极海洋,其海岸线融化解冻泄漏的500亿吨甲烷,造成的损失几乎将相当于与全球经济产出。
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化工资讯网电子信息频道:晶体管的半导体装置是组成集成电路的重要组成部分,组成集成电路的晶体管已经被人类尽可能地缩小,目前科学人员正在尝试改进这些极小装置,以使得无需再次缩小晶体管体积就可降低它的功耗。
晶体管(控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分,帮助电脑进行范围广泛的计算密集型作业。它有两种类型,即金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称MOSFETs及其变种——浮置栅(FG)MOSFET。MOSFET的作用相当于电信号的一个开启/关闭切换器。在没有电荷时,源极和漏极之间的导电性会停止。一个浮动栅MOSFET类似于一个标准的MOSFET,但它具有一个额外的电极栅——这是一个能保留电荷的电极栅,从而允许一个浮动栅FG-MOSFET在无须施加电荷的情况下被开启。
研究人员创建了浮动栅FG-MOSFET的一个变种——一个半浮动栅(SFG)MOSFET。研究人员在其内埋置了一个广泛用于低功耗电路的装置——这个装置被称作隧道场效应晶体管或TFET。由于TFET将SFG-MOSFET的带正电荷的浮栅与其带负电荷的漏区偶联,它在半浮珊电极(该电极会降低影响它所需的电压并最终将晶体管开启)内创建了一个额外的电荷。他们发现,新制造的在低电压下操作的由SFG晶体管实现的高速记忆确实比传统的FG-MOSFET的电压要低得多。鉴于其超高速的记忆功能及其快速感知图像和光的能力,这种新的晶体管可能会成为另外一个基本的半导体装置。
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