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获2013年诺贝尔和平奖——禁止化学武器组织
2013-10-12 08:54:46
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新华社奥斯陆10月11日电(记者刘敏 李国荣)挪威诺贝尔委员会11日宣布,将2013年诺贝尔和平奖授予禁止化学武器组织,以表彰其“为消除化学武器所作的诸多努力”。
挪威诺委会主席托尔比约恩·亚格兰当天在奥斯陆举行的新闻发布会上说,自1997年《禁止化学武器公约》生效以来,禁止化学武器组织便一直以检查、销毁及其他手段来执行这一公约,以实现公约确定的禁止生产、储存和使用化学武器的宗旨。
在关于授予禁止化学武器组织本年度和平奖的声明中,挪威诺委会简要回顾了两次世界大战中使用化学武器的惨痛历史以及战后国际社会为消除化学武器所作的努力,同时特别指出最近发生在叙利亚的使用化学武器事件再次凸显了“努力消灭使用化学武器的必要性。”
这份声明还专门提到美国和俄罗斯等国未能在2012年4月这一最后期限之前销毁化学武器。
成立于1997年的禁止化学武器组织目前有189个成员,总部设在荷兰海牙。目前,这个组织在叙利亚政府的支持配合下,正在积极开展销毁叙利亚化学武器的工作。
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化学词典告诉你单晶硅生产工艺及用途,单晶硅是一种良好的半导材料,具有基本完整的点阵结构的晶体。单晶硅不同的方向具有不同的性质,用于制造半导体器件、太阳能电池等。 单晶硅生产工艺加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长(1)加料:将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼,磷,锑,砷。(2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料熔化。(3)缩颈生长:当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小到一定大小(4-6mm)由于位错线与生长轴成一个交角,只要缩颈够长,位错便能长出晶体表面,产生零位错的晶体。(4)放肩生长:长完细颈之后,须降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。(5)等径生长:长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径维持在正负2mm之间,这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。(6)尾部生长:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。单晶硅的用途单晶硅主要用于制作半导体元件。用途:是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材,外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片,因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。